Développement et étude de transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGe verticaux sur substrats SOI minces

par Grégory Avenier

Thèse de doctorat en Sciences physiques et de l'ingénieur. Électronique

Sous la direction de Thomas Zimmer.

Soutenue en 2006

à Bordeaux 1 .


  • Résumé

    Les applications radio-fréquences nécessitent le développement de technologies BiCMOS sur SOI. Cette étude a pour objectif l'intégration d'un transistoir bipolaire dans une technolgie 0. 13um sur substrat SOI. Le choix de l'architecture s'est porté sur une structure émetteur-base auto-alignée et un collecteur implanté. Les transistoirs fabriqués ont montré un comportement particulier résultant de la faible épaisseur du collecteur, localisé dans la couche supérieure du SOI. Ce fonctionnement atypique a pu être expliqué grâce à une étude de l'avalanche du collecteur. Une série d'optimisation a ainsi été proposée, grâce à la compréhension des mécanismes de désertion dans le collecteur, et un modèle compact a été développé à partir du modèle HiCUM, en adaptant la topologie du collecteur. Finalement, cette étude a donné lieu au développement d'une technologie BiCMOS complète intégrant des transistors MOS complémentaires et les transistors bipolaires issus de cette étude.

  • Titre traduit

    Development and study of vertical Si/SiGe heterojunction bipolar transistors on thin-film SOI substrates


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Informations

  • Détails : 1 vol. (179 p.)
  • Annexes : Bibliogr. p. 175-177

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université de Bordeaux. Direction de la Documentation. Bibliothèque Sciences et Techniques.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : FTA 3228
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