Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des technologies CMOS 0. 13 µm-2nm

par Thierry Di Gilio

Thèse de doctorat en Physique, modélisation et sciences pour l'ingénieur

Sous la direction de Michel Lannoo.

  • Titre traduit

    Reliability study of 130nm CMOS technology submitted to hot carrier injections


  • Pas de résumé disponible.


  • Résumé

    Ces travaux sont consacrés à l'étude de la dégradation des transistors MOSFETs de la génération 130nm-2nm, soumis aux injections de porteurs énergétiques générés par les champs électriques élevés. Les méthodes de vieillissement et de caractérisation sont adaptées pour cette technologie. Une étude comparative des mécanismes de dégradations mis en jeu est ensuite réalisée sur des technologies antérieures afin de mettre en évidence l'évolution de ces mécanismes. Ces résultats sont utilisés pour l'évaluation de la durée de vie des dispositifs dans leur fonctionnement normal. Nous adaptons ces techniques d'extrapolation aux modes de défaillances relevés

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Informations

  • Détails : 1 vol. (227 p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliographies en fin de chapitre) . Index

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  • Bibliothèque : Université d'Aix-Marseille (Marseille. St Charles). Service commun de la documentation. Bibliothèque universitaire de sciences lettres et sciences humaines.
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