Etude de HEMT's AlInAs/GaInAs à désertion et à enrichissement pour applications haute fréquence

par Vincent Roucher

Thèse de doctorat en Micro-ondes et microtechnologies

Sous la direction de Alain Cappy et de Sylvain Bollaert.

Soutenue en 2005

à Lille 1 .


  • Résumé

    Les circuits fonctionnent à des fréquences toujours plus élevées. L'objectif de ce travail est de réaliser une technologie HEMT AlInAs/GaInAs; sur InP ou métamorphique sur GaAs, à désertion ou à enrichissement pour la conception de circuits d'architecture complexe fonctionnant à des débits au-delà de 100 Gb/s ou en gamme d'onde millimétriques. Après avoir modélisé la structure d'un HEMT à enrichissement, nous étudions la technologie la plus adaptée à la réalisation de transistors. Un HEMT N-OFF AlInAs/GaInAs métamorphique sur GaAs est obtenu (LG= 0,13 µm, fT = 155 GHz). Enfin, nous développons une technologie à double seuil. Les HEMTs ON AlInAs/GaInAs sur InP réalisés ont une tension de pincement de -0,48 V, (LG= 0,1 µm, fT = 210 GHz). Les HEMTs OFF réalisées ont une tension de pincement de 0 V (LG= 0. 14 µm, fT = 160 GHz). Ces transistors, à l'état de l'art, peuvent être réalisés sur le même substrat et ouvrent des perspectives pour la réalisation de circuits à haute fréquence.

  • Titre traduit

    Study of AlInAs/GaInAs based E-Mode and D-Mode HEMT's for high frequency applications


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Informations

  • Détails : 1 vol. (224 p.)
  • Annexes : Bibliogr. p. 218-224

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  • Bibliothèque : Université des sciences et technologies de Lille (Villeneuve d'Ascq, Nord). Service commun de la documentation.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 50376-2005-188
  • Bibliothèque : Université des sciences et technologies de Lille (Villeneuve d'Ascq, Nord). Service commun de la documentation.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 50376-2005-189
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