Etude de la gravure assistée par plasma du semi-conducteur II-VI HgCdTe pour application à la fabrication de détecteurs infrarouge multispectraux

par Elise Laffosse

Thèse de doctorat en Matériaux pour l'Electronique et Ingénierie des Plasmas

Sous la direction de Jean-Claude Portal.

Soutenue en 2005

à Toulouse, INSA .

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Informations

  • Détails : 1 vol. ( 219p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. p. 213-219

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  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées. Bibliothèque centrale.
  • Non disponible pour le PEB
  • Cote : 2005/774/LAF
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