Etude théorique et optimisation des performances de linéarité des transistors bipolaires SiGe et SiGeC en vue de l'amélioration des compromis gain/bruit/linéarité/consommation des fonctions intégrées radiofréquences des récepteurs multi-modes de 3ème génération

par Raphaël Paulin

Thèse de doctorat en Optique et radiofréquences

Sous la direction de Mireille Mouis.

Soutenue en 2005

à Grenoble, INPG .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    L'objectif de cette thèse est de comprendre le comportement non linéaire du TBH utilisé pour un LNA à une fréquence de 2GHz. Une première méthode basée sur l'implémentation et la simulation d'un TBH équivalent non linéaire a été mise en oeuvre. Cette démarche nous a permis d'identifier les sources de non linéarité, sans pour autant nous permettre de comprendre l'implication des éléments du TBH. C'est pourquoi nous avons appliqué la théorie de Volterra. Les courants de distorsion sont alors exprimés sous forme littérale en fonction des paramètres du TBH ainsi que des impédances de source et de charge. Cette approche a été validée sur un LNA émetteur commun et sur un LNA cascode en technologie BiCMOS 0. 25µm SiGeC. La contribution des non linéarités de la capacité base collecteur vis à vis de la distorsion globale des montages a été mise en évidence.


  • Pas de résumé disponible.

  • Titre traduit

    Theoretical study and SiGe/SiGeC bipolar transistors linearity performances optimization for gain/linearity/consumption trade off improvement for 3GPP radiofrequency integrated receivers


  • Résumé

    This thesis purpose is to understand the HBT non linear behavior used for LNA at 2GHz. First, a quantitative method consisting in modeling and simulating an equivatent non linear HBT model was developed. This step allowed the HBT non linear sources and compensations between 2nd and 3rd orders distortions identification. This method does not explain HBT non linear elements intrinsic implications. Ln order to study compensations more precisely, an analytical method was applied, based on Volterra theory. Distortion currents are expressed through literal expressions, depending on HBT parameters and source and load impedances. This approach was validated thanks to common emitter and cascoded LNA. These circuits were designed and measured in BiCMOS O. 25µm SiGe process. As a conclusion, we demonstrated the base collector capacitance important contributions for common emitter and cascode LNA architectures.

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Informations

  • Détails : 1 vol. (256 p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. en fin de chapitres

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  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
  • Non disponible pour le PEB
  • Cote : TS05/INPG/0133
  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS05/INPG/0133/D
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