Etude de la technologie SOI partiellement désertée à très basse tension pour minimiser l'énergie dissipée et application à des opérateurs de calcul

par Alexandre Valentian

Thèse de doctorat en Électronique et communications. Microélectronique

Sous la direction de Amara Amara.

Soutenue en 2005

à Paris, ENST .

  • Titre traduit

    Study of the SOI (Silicon on Insulator) technology at ultra low-voltage to minimize the dissipated energy and application to computing circuits


  • Pas de résumé disponible.


  • Résumé

    Alors que les utilisateurs sont de plus en plus friands d'applications portables, la conception de circuits intégrés doit désormais prendre en compte le budget de puissance alloué. Il est donc essentiel de développer des circuits microélectroniques très basse puissance. La réduction de la tension d'alimentation s'avère être l'approche la plus efficace. Néanmoins, celle-ci ne peut être effectuée arbitrairement, il faut trouver un compromis entre vitesse et consommation. Du point de vue technologique, la technologie SOI-PD (Silicium sur Isolant Partiellement Désertée) s'avère très intéressante en très basse tension. Pour mieux appréhender le comportement des transistors SOI opérés en inversion faible, un modèle analytique et physique simple a tout d'abord été développé : sa précision et sa formulation compacte permettent de calculer le temps de propagation d'une porte. La consommation d'un circuit dépendant fortement du style logique employé, plusieurs styles ont été comparés et celui présentant le meilleur produit puissance-délai a été choisi pour réaliser une bibliothèque de cellules standards basse consommation. La problématique de la propagation de données sur des interconnexions longues hautement capacitives, alors que les transistors fournissent peu de courant, a été abordée : un nouveau circuit de transmission en mode courant a été proposé et comparé à l'approche conventionnelle en tension. Enfin, un circuit de traitement d'image par paquets d'ondelettes a été développé et synthétisé grâce à la bibliothèque précédente, montrant l'avantage de la technologie SOI à très basse tension par rapport à la technologie CMOS sur silicium massif

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Cette thèse a donné lieu à une publication en 2005 par École nationale supérieure des télécommunications à Paris

Étude de la technologie SOI partiellement désertée à très basse tension pour minimiser l'énergie dissipée et application à des opérateurs de calcul


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La version de soutenance existe sous forme papier

Informations

  • Détails : 1 vol. (206 p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. 94 réf.

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  • Bibliothèque : Télécom ParisTech. Bibliothèque scientifique et technique.
  • Disponible pour le PEB
Voir dans le Sudoc, catalogue collectif des bibliothèques de l'enseignement supérieur et de la recherche.
Cette thèse a donné lieu à 1 publication .

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Cette thèse a donné lieu à une publication en 2005 par École nationale supérieure des télécommunications à Paris

Informations

  • Sous le titre : Étude de la technologie SOI partiellement désertée à très basse tension pour minimiser l'énergie dissipée et application à des opérateurs de calcul
  • Dans la collection : ENST , 2005 , 0751-1353
  • Détails : 1 vol. (206 p.)
  • Notes : SOI = Silicium sur isolant.
  • Annexes : Bibliogr. p. 189-195. Résumé
La version de soutenance de cette thèse existe aussi sous forme papier. Voir dans le Sudoc, catalogue collectif des bibliothèques de l'enseignement supérieur et de la recherche.