Croissance sélective d'InP dopé Fer par MOVPE assistée par Tertio-Butyle de chlore (TBCl)

Selective growth study by tertiary-butyl chloride (TBCl) assisted MOVPE. Application to the realisation so electro-optical modulators on InP substrate

• Auteur / Autrice : Stéphane Gouraud
• Direction : Evelyne Gil
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Electronique et Systèmes-Matériaux et Composants pour l'électronique
• Date : Soutenance en 2005
• Etablissement(s) : Clermont-Ferrand 2

Résumé

La fabrication de modulateurs électroabsorbants fonctionnant à 40 GBits/s de type SIBH ( Semi-Insulating Buried Heterostructure) à base de GaInAsPou d'AlGaInAs sur substrat d'InP et enterrés dans de l'InP semi-isolant dopé Fer par Epitaxie en Phase Vapeur aux Organo-Métalliques (MOVPE) nécessite l'optimisation : des conditions de croissance MOVPE pour obtenir la planarisation de la surface après reprise sur rubans modulateurs de fortes hauteurs (> 5µm) et permettre la fabrications des composants, du caractère semi-isolant de l'InP de confinement dopé Fer (résistivité>10 puissance 8 ohm. Cm) pour atteindre le débit de 40 GBits/s et de l'interface de reprise entre le ruban et le confinement en InP semi-isolant pour le fonctionnement des composants en régime de polarisation inverse. Cette thèse contribue au développement et à la fabrication de composants possédants ces caractéristiques grâce à l'ajout de Tertio-Butyle de Chlore (TBCl ou (CH3)3CCl) au cours de la croissance par MOVPE