Croissance sélective d'InP dopé Fer par MOVPE assistée par Tertio-Butyle de chlore (TBCl)

par Stéphane Gouraud

Thèse de doctorat en Electronique et Systèmes-Matériaux et Composants pour l'électronique

Sous la direction de Evelyne Gil.

Soutenue en 2005

à Clermont-Ferrand 2 .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    La fabrication de modulateurs électroabsorbants fonctionnant à 40 GBits/s de type SIBH ( Semi-Insulating Buried Heterostructure) à base de GaInAsPou d'AlGaInAs sur substrat d'InP et enterrés dans de l'InP semi-isolant dopé Fer par Epitaxie en Phase Vapeur aux Organo-Métalliques (MOVPE) nécessite l'optimisation : des conditions de croissance MOVPE pour obtenir la planarisation de la surface après reprise sur rubans modulateurs de fortes hauteurs (> 5µm) et permettre la fabrications des composants, du caractère semi-isolant de l'InP de confinement dopé Fer (résistivité>10 puissance 8 ohm. Cm) pour atteindre le débit de 40 GBits/s et de l'interface de reprise entre le ruban et le confinement en InP semi-isolant pour le fonctionnement des composants en régime de polarisation inverse. Cette thèse contribue au développement et à la fabrication de composants possédants ces caractéristiques grâce à l'ajout de Tertio-Butyle de Chlore (TBCl ou (CH3)3CCl) au cours de la croissance par MOVPE

  • Titre traduit

    Selective growth study by tertiary-butyl chloride (TBCl) assisted MOVPE. Application to the realisation so electro-optical modulators on InP substrate


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Informations

  • Détails : 1 vol. (219 p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr.

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