Extraction des paramètres intrinsèques des transistors à effet de champ tenant compte des phénomènes de propagation

par Moez Balti

Thèse de doctorat en Électronique

Sous la direction de Daniel Pasquet.


  • Résumé

    Pour augmenter la puissance supportable par le transistor tout en négligeant les effets de propagation, nous sommes amené à le décomposer en un grand nombre de doigts de faible largeur placés en parallèle. Pour les transistors de très forte puissance le nombre de doigts peut devenir très important et les dimensions deviennent disproportionnées et nous, nous éloignons alors de la forme idéale qui doit être proche du carré. Pour réduire le nombre de doigts, tout en gardant la même puissance, on peut augmenter la largeur de la grille. Pour cela, il faut connaître de la manière la plus précise possible les effets de propagation afin de les prendre en compte dans la conception du composant optimal, à la fois du point de vue de l'encombrement, de la puissance et des performances fréquentielles. La première partie du travail a été de mettre en équation les phénomènes de propagation. Un schéma équivalent original a été déduit de ces calculs. Une partie expérimentale a été menée pour valider ses résultats théoriques. Une deuxième partie de ce travail, consiste à la détermination d'un modèle de bruit. La première partie de ce travail consisté à la mise en équation et la mesure du bruit dans les transistors.

  • Titre traduit

    Extraction of field effect transistor intrinsic parameters while taking into account the propation phenomenon


  • Résumé

    To increase the bearable power of the FET transistor while neglecting the propagation effects, we have to break up it into a great number of gate fingers of low width placed in parallel. For the transistors of very height power the number of fingers can become very significant and dimensions become disproportionate. To reduce the number of fingers, while keeping the same power, one can increase the gate width. For that, it is necessary to study the propagation effects in order to take them into account in the design of the optimal component, at the same time from the point of view of the scaling, the power and the frequencies performances. The first part of work was to put in equation the propagation phenomena. An original equivalent diagram was deduced from these calculations. An experimental part was carried out to validate its theoretical results. A second part of this work, consists with the determination of a noise model. The first part of this work consisted with the setting of equation and the measurement of the noise parameters in the transistors.

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Informations

  • Détails : 1 vol. (168 p.)
  • Annexes : Bibliogr. p. 121-129

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  • Bibliothèque : Université de Cergy-Pontoise. Service commune de la documentation. Bibliothèque universitaire de Neuville.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS CERG 2005 BAL
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