Contribution à la modélisation analytique tridimensionnelle de l'auto-échauffement dans les transistors bipolaires à hérérojonction de type Si/SiGe

par Pierre-Yvan Sulima

Thèse de doctorat en Sciences physiques et de l'ingénieur. Électronique

Sous la direction de Thomas Zimmer et de Jean-Luc Battaglia.

Soutenue en 2005

à Bordeaux 1 .


  • Résumé

    Après avoir présenté le contexte bibliographique, nous avons mis au point un modèle analytique du comportement thermique transitoire d'un TBH SiGe à l'échelle macroscopique. Ce modèle utilise la méthode des quadripôles thermiques et repose sur les transformées intégrales du temps et de l'espace. Un autre intérêt de ce modèle est l'identification du paramètre mal connu que représente la conductivité thermique de la couche composite de passivation. Nous avons, également, optimisé une méthode expérimentale transitoire permettant de mesurer des paramètres de résistance thermiques et de capacité thermique. Cette étape permet de valider le modèle macroscopique et fournit ainsi un outil de caractérisation thermique des TBH SiGe.

  • Titre traduit

    Contribution to the 3 D analytical modelling of the self heating in the Si/SiGe heterjunction bipolar transistor


  • Pas de résumé disponible.

Consulter en bibliothèque

La version de soutenance existe sous forme papier

Informations

  • Détails : 1 vol. (192 p. )
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. p. 179-192

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université de Bordeaux. Direction de la Documentation. Bibliothèque Sciences et Techniques.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : FTA 3101
Voir dans le Sudoc, catalogue collectif des bibliothèques de l'enseignement supérieur et de la recherche.