Etude du comportement des capteurs photovoltaïques et photoconductifs soumis à un rayonnement laser IR dans la bande II. Applications aux matériaux : InAsSbP/InAs et PbSe

Study of the behaviour of photovoltaic and photoconductive detectors under IR laser radiation in band II. Application to InAsSbP/InAs and PbSe

• Auteur / Autrice : Stéphane Rathgeb
• Direction : Marcel Pasquinelli
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique. Sciences des matériaux. Electronique Optronique et Systèmes
• Date : Soutenance en 2005
• Etablissement(s) : Aix-Marseille 3

Mots clés

Mots clés contrôlés

Capteurs optiques

Hétérostructures

Thermique

Rayonnement infrarouge

Optoélectronique

Lasers à infrarouges

Résumé

L'avènement des systèmes optroniques est une étape incontournable dans le domaine de la défense. Le présent travail de thèse s'intéresse au comportement des détecteurs photoconducteurs PbSe ainsi que photovoltaïques InAsSbP/InAs face à irradiation laser. L'étude est menée dans le domaine de l'infrarouge suivant la bande de transmission atmosphérique de 3 - 5 µm (bande II), dans le but de mieux connaître les processus physiques et ainsi améliorer les performances de ces capteurs qui sont particulièrement vulnérables. Ainsi, les paramètres photoélectriques et électroniques sont mesurés avant, pendant et après une irradiation laser de type fluorure de deutérium (DF).

The advent of optronic systems is a major step in the defence area. This Ph-D dissertation focuses on the behaviour of PbSe photoconductive and InAsSbP/InAs photovoltaic detectors under laser radiation. The study is carried out in the infrared within the 3-5 µm atmospheric transmission band (band II). It is aimed at better understanding the physical processes and thus improving the performance of these sensors which are particularly vulnerable. The photoelectrical and electronic parameters are hence measured before, during and after DF (deuterium fluoride) laser radiation.