Dispositifs GAA [Gate-All-Around] en technologie SON [Silicon-On-Nothing] : conception, caractérisation et modélisation en vue de l'intégration dans les noeuds CMOS avancés

par Samuel Harrison

Thèse de doctorat en Physique et modélisation des systèmes complexes. Micro et nanoélectronique

Sous la direction de Daniela Munteanu et de Thomas Skotnicki.

Soutenue en 2005

à Aix-Marseille 1 , en partenariat avec Université de Provence. Section sciences (autre partenaire) .


  • Résumé

    Depuis près de quarante ans, la densité d'intégration des transistors est doublée tous les deux ans environ, en suivant un rythme infernal dicté par la fameuse " loi de Moore ". Pourtant, cette dernière est aujourd'hui remise en question. En effet, pour la première fois, le transistor MOS " historique " est sur le point de buter sur des barrières physiques, électriques et technologiques quasi-insurmontables. La réduction des dimensions caractéristiques principales du MOS (mais aussi des tensions d'alimentation) s'accompagne de l'apparition d'un grand nombre d'effets parasites (effets canaux courts, fuites de grilles etc. ). Pour poursuivre efficacement la course à la miniaturisation des transistors, nous constatons ainsi l'émergence de toute une famille de dispositifs à films minces (à simple grille, SOI, SON ou à grilles multiples, Double-Grille, FinFET ou GAA, par exemple. . . ), permettant un meilleur contrôle du potentiel électrostatique, tout en conservant des performances électriques équivalentes, voire supérieures à l'architecture conventionnelle. Dans ce travail de thèse, nous proposons l'étude d'un transistor à grille enrobante (ou GAA), réalisé en technologie SON. Nous décrivons les principales étapes de sa réalisation technologique puis nous démontrons électriquement qu'un tel dispositif satisfait pleinement les exigences des prochains noeuds technologiques. Nous démontrons finalement la maturité et la fiabilité, à la fois du procédé SON, mais aussi du procédé PRETCH, grâce à la réalisation d'inverseurs et de SRAMs GAA (grille TiN) fonctionnels. Toute une plateforme technologique est ainsi proposée se basant sur l'aspect 3D de la conception du circuit.

  • Titre traduit

    Gate-All-Around (GAA) devices in Silicon-On-Nothing (SON) technology : conception, caracterization and modelization for further integration in advanced CMOS nodes


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Informations

  • Détails : 1 vol. ([6]-214 p.
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliographies p. 23,113-118 et 179-181

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université d'Aix-Marseille (Marseille. St Charles). Service commun de la documentation. Bibliothèque universitaire de sciences lettres et sciences humaines.
  • Disponible pour le PEB
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