Technologie FeRAM : fiabilité et mécanismes de défaillance de condensateurs ferroélectriques et intégrés

par Nicolas Menou

Thèse de doctorat en Sciences physiques

Sous la direction de Christophe Muller.

Soutenue en 2004

à Toulon , en partenariat avec Université du Sud Toulon-Var. UFR de Sciences et Techniques (autre partenaire) .


  • Résumé

    Le développement industriel de la technologie FeRAM (assurant non volatilité, accès rapide et faible consommation) est aujourd'hui limité par la fiabilité du condensateur ferroélectrique intégré. Le travail de thèse, axé sur la compréhension de ses modes de défaillance, a consisté à associer des analyses électriques et microstructurales sur des condensateurs élémentaires, des véhicules de test et des composants. La dégradation des propriétés ferroélectriques de condensateurs élémentaires, sous stresses électriques, a été corrélée à leurs évolutions microstructurales. L'irradiation X s'est également avérée un facteur accélérateur de cette dégradation. Sur les objets technologiques avancés, les techniques synchrotron et la microscopie électronique, associées aux tests de fiabilité, ont permis de corréler les modes de défaillance à la nature du condensateur, à sa géométrie (planaire ou 3D) et aux étapes technologiques utilisées

  • Titre traduit

    FeRAM technology : reliability and failure mechanisms of elementary and integrated ferroelectric capacitors


  • Résumé

    The industrial development of the FeRAM technology (providing non volatility, fast access and low power consumption) is still limited by the reliability of the integrated ferroelectric capacitor. The PhD work, focused on the understanding of failure mechanisms, was based on both electrical and microstructural studies of elementary capacitors, test vehicles and chips. The ferroelectric properties degradation of elementary capacitors under electrical stresses has been correlated to their microstructural evolution. Furthermore, X-ray irradiation has been revealed as an accelerating factor of degradation. Concerning the advanced technological devices, synchrotron techniques and electron microscopy, associated with reliability testing, enabled to correlate the failure mechanisms with the capacitor microstructure, its geometry (planar or 3D) and the integration steps

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Informations

  • Détails : 1 vol.(226 f.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Références bibliographiques f. 219-226. Glossaire

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  • Bibliothèque : Université de Toulon (La Garde). Bibliothèque universitaire. Section Campus La Garde.
  • Non disponible pour le PEB
  • Cote : TH-SCI/2004TOUL18
  • Bibliothèque : Université de Toulon (La Garde). Bibliothèque universitaire. Section Campus La Garde.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TH-SCI/2004TOUL18.bis
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