Transistor bipolaire à hétérojonction GaInAs/InP pour circuits ultra-rapides : structure, fabrication et catactérisation

par Mathias Kahn

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Frédéric Aniel.

Soutenue en 2004

à Paris 11 .


  • Résumé

    L'essor des telecommunications a l'echelle mondiale qu'a connu la fin du xxeme siecle a ete rendu possible par l'existence de reseaux a base de fibres optiques, capables de transmettre des flux de donnees importants sur de longues distances. La gestion de ces importants flux d'information en amont et en aval de la fibre requiert des circuits electroniques numeriques et analogiques traitant des debits de donnees superieurs a 40gb/s, ce qui implique l'utilisation de composants tres rapides, avec des frequences de transition au-dela de 150ghz. Grace aux remarquables proprietes de la famille de materiaux iii-v en termes de transport electrique, le transistor bipolaire a heterojonction gainas/inp se classe comme l'un des transistors les plus rapides actuellement, et permet la realisation de tels circuits operationnels a tres haute frequence. La mise en place d'une filiere complete de fabrication de circuits a base de tbh necessite que soit maitrise un grand nombre d'etapes. Un certain nombre d'entre elles touche directement au composant: conception, epitaxie, fabrication technologique, caracterisation a ces etapes doit etre ajoutee une certaine comprehension des phenomenes physiques intervenant dans le dispositif. Dans ce travail de these, les problematiques liees a l'optimisation du tbh gainas/inp, ainsi que certaines questions relatives aux mecanismes physiques mis en jeu sont presentees.


  • Résumé

    The developpement of optical networks in the last decade has made possible the strong increase in worlwide telecomunications. Processing of high-bitrates signals (above 40 gb/s) at fiber input and output requires numerical circuits working very high frequencies, and thus based on vary fast electronics devices with cutoff frequencies of 150 ghz or more. Iii-v semiconctor materials have remarkable physical properties, making inp base hbt one of the fastest transitor available at this time. This device allows design of circuits working at the very high frequencies required in optical communications applications. Fabrication of gainas/inp hbt involves a large number of design and processing steps (epitaxial growth, cleanroom processing, caracterisation,), and requiers understanding of various physical effects determining the device behavior. In this work, we study the main physical effects involved in hbt behavior, and we carry out optimisation of the device.

Consulter en bibliothèque

La version de soutenance existe sous forme papier

Informations

  • Détails : 256 p.
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. en fin de chapitres

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université Paris-Sud (Orsay, Essonne). Service Commun de la Documentation. Section Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 0g ORSAY(2004)64
Voir dans le Sudoc, catalogue collectif des bibliothèques de l'enseignement supérieur et de la recherche.