Intégration monolithique sur silicium d'émetteurs de lumière à base de GaAs par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques sur pseudo-substrat de Ge/Si

par Yves Chriqui

Thèse de doctorat en Physique et chimie des matériaux

Sous la direction de Bernard Étienne.

Soutenue en 2004

à Paris 6 .

  • Titre traduit

    Monolithic integration of GaAs-based light emetters on silicon by metalorganic vapour phase epitaxy on a gelsi pseudo-substrate


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Informations

  • Détails : 1 vol., [VI] -225 p.
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. en fin de chapitre

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  • Bibliothèque : Université Pierre et Marie Curie. Bibliothèque Universitaire Pierre et Marie Curie. Section Biologie-Chimie-Physique Recherche.
  • Consultable sur place dans l'établissement demandeur
  • Cote : T Paris 6 2004 56
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