Etude des interactions plasma-surface pendant la gravure du silicium dans des plasmas HBr/Cl2/O2

par Martin Kogelschatz

Thèse de doctorat en Biologie chimique

Sous la direction de Nader Sadeghi.

Soutenue en 2004

à l'Université Joseph Fourier (Grenoble) .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL EST DE COMPRENDRE LES INTERACTIONS PLASMA-SURFACE PENDANT LA GRAVURE DU SILICIUM DANS DES CHIMIES HBr/CI2I02. DANS CES PROCEDES, UNE COUCHE SE DEPOSE SUR LES PAROIS DU REACTEUIi ET MENE A LA DERIVE DU PROCEDE. LA NATURE CHIMIQUE ET LES MECANISMES DE FORMATION DE CETTE COUCHE ONT ETE ETUDIES PAR SA GRAVURE ULTERIEURE AVEC UN PLASMA ARlSF6 ET L'ANALYSE RESOLUE EN TEMPS DES PRODUITS DE GRAVURE PAR LES DIAGNOSTICS D'EMISSION OPTIQUE ET DE SPECTROMETRIE DE MASSE. IL A ETE MONTRE QUE CETTE COUCHE EST DU TYPE SiOxCly TRES RICHE EN CHLORE. AUSSI, LA CINETIQUE DES RADICAUX SiClx PRODUITS LORS DE LA GRAVURE DU SILICIUM PAR LE PLASMA HBr/CI2/02, QUI SONT LES PRECURSEURS DE CE DEPOT, A ETE ETUDIEE PAR LA SPECTROSCOPIE D'ABSORPTION LARGE BANDE DANS L'UV. IL A ETE CONCLU QUE LES PRECURSEURS DU DEPOT SONT LE Si, Si+, SiCI ET SiCI+. MAIS LA REACTION DE CES ESPECES AVEC LES PAROIS PEUT AUSSI MENER A LA FORMATION DE SiCI2 VOLATIL.


  • Pas de résumé disponible.

  • Titre traduit

    Study o plasma-wall interactions during etching o silicon in HBr/Cl2/O2 plasmas


  • Résumé

    THE AIM OF THIS WORK IS TO STUDY THE PLASMA-WALL INTERACTIONS DURING THE ETCHING OF SILICON GATES lN HBr/CI2/02 CHEMISTRIES. LN THESE PROCESSES A LAYER FORMS ON THE REACTOR WALLS AND CAUSES PROCESS DRIFTS. THE CHEMICAL NATURE AND THE DEPOSITION MECHANISMS OF THIS LAYER HAVE BEEN STUDIED BY ITS AFTERWARD ETCHING WITH AN Ar/SF6 PLASMA AND ANAL YSING THE TIME RESOLVED COMPOSITION OF THE ETCH PRODUCTS BY OPTICAL EMISSION AND MASS SPECTROMETRY DIAGNOSTICS. THIS ALLOWED TO DEMONSTRATE THAT THIS LAYER IS A CHLORINE-RICH SiOxCly LAYER. ALSO, THE KINETICS OF SiClx RADICALS PRODUCED WHEN ETCHING SILICON lN HBr/CI2I02 PLASMAS, WHICH ARE THE PRECURSEURS OF THE LA YER DEPOSITION, HAS BEEN ANAL YSED BY UV BROAD BAND ABSORPTION SPECTROSCOPY. IT WAS CONCLUDED THAT THE DEPOSITION PRECURSORS ARE Si, Si+, SiCI AND SiCI+, BUT THE REACTION OF THESE SPECIE WITH THE DEPOSITED LAYER ALSO LEADS TO THE FORMATION OF VOLATILE SiCI2 RADICALS.

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Informations

  • Détails : 160 p.
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. p.155-160

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  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
  • Non disponible pour le PEB
  • Cote : TS04/GRE1/0227
  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS04/GRE1/0227/D
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