Mesure et modélisation du bruit de fond électrique basse fréquence dans les transistors intégrés MOS pour l'exploration des pièges et des défauts dans les technologies SOI récentes

par Isabelle Lartigau

Thèse de doctorat en Électronique et micro-électronique

Sous la direction de Régis Carin.

Soutenue en 2004

à Caen .


  • Résumé

    Le travail présenté dans ce mémoire a pour but d'analyser les transistors MOS de plusieurs technologies SOI récentes par des mesures de bruit excédentaire basse fréquence (1/f et lorentzien). Des caractérisations en courant continu à température ambiante ou en fonction de la température ont permis l'extraction des différents paramètres statiques du MOS. L'analyse du bruit en 1/f révèle une dégradation de la qualité de l'interface Si/SiO2 pour les composants SOI et la densité de pièges d'interface est déduite de ces mesures. Concernant le bruit lorentzien, deux types de lorentziennes ont été observés suivant la gamme de tension de grille. Dans un cas, la fréquence caractéristique ne varie pas avec la tension de grille, ces lorentziennes sont attribuées à des pièges dans la couche de déplétion, dont on détermine la nature et la densité. Dans le cas contraire, notre analyse a permis d'attribuer ces lorentziennes à un bruit blanc filtré par un réseau RC.


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Informations

  • Détails : 1 vol. (177 p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. p. 135-143

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  • Bibliothèque : Université de Caen Normandie. Bibliothèque Rosalind Franklin (Sciences-STAPS).
  • Non disponible pour le PEB
  • Cote : TCAS-2004-59
  • Bibliothèque : Université de Caen Normandie. Bibliothèque Rosalind Franklin (Sciences-STAPS).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TCAS-2004-59bis
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