Caractérisation et modélisation de l'oxyde d'hafnium comme alternative à la silice pour les futures technologies CMOS submicroniques

par Xavier Garros

Thèse de doctorat en Mécanique, physique et modélisation. Physique et modélisation des systèmes complexes. Micro et nanoélectronique

Sous la direction de Jean-Luc Autran.


  • Résumé

    L'oxyde d'hafnium a récemment été proposé pour remplacer l'oxyde thermique classique. Le but de cette thèse était de faire un point sur les propriétés électriques de ce nouveau matériau. Cette thèse est organisée en quatre chapitres : L'EOT (Epaisseur Equivalente Oxyde), la conduction à travers l'isolant, les défauts électriques dans l'oxyde et la fiabilité du diélectrique. Dans le premier chapitre, il est démontré que l'EOT dépend principalement des conditions de recuit RTP à travers l'épaisseur de la couche interfaciale. Dans le chapitre 2, la conduction à travers le diélectrique est analysée. De manière générale, HfO2 apporte un bénéfice appréciable en terme de courant de fuite par rapport à SiO2. Dans le chapitre 3, les défauts électriques dans HfO2 (pièges d'interfaces et de volume, charges fixes) sont évalués. Dans le dernier chapitre, la bonne fiabilité de ce matériau est démontrée.

  • Titre traduit

    Electrical characterization and modeling of HfO2 gate oxide as an alternative of SiO2 for future sub-micron CMOS technologies


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Informations

  • Détails : 1 vol. (294 p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Références bibliographiques en fin de chapitres. Bibliographie de l'auteur p.293-294

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université d'Aix-Marseille (Marseille. St Charles). Service commun de la documentation. Bibliothèque universitaire de sciences lettres et sciences humaines.
  • Disponible pour le PEB
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