Etude expérimentale des phénomènes de dégradation sous différents modes d'injection dans les oxydes ultra-minces (<5nm) pour la microélectronique

par Céline Trapes

Thèse de doctorat en Mécanique, physique et modélisation. Systèmes complexes

Sous la direction de Michel Lannoo.


  • Résumé

    La technologie CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) qui représente 3/4 de la production de l'industrie de la microélectronique est confrontée à l'enjeu de la miniaturisation et les transistors MOS ont un oxyde de grille qui atteint aujourd'hui quelques nanomètres. A de telles épaisseurs des problèmes de fiabilité et de performance se posent car le courant de fuite de grille prend des proportions considérables alors que la limite du courant acceptable dans les circuits logiques est de 1A/cm2 en mode de fonctionnement nominal. L'objectif de ce travail est d'étudier la fiabilité des oxydes ultra minces d'épaisseur comprise entre 3. 5 et 1. 2 nm sous différents modes d'injection et de caractériser la dégradation de l'oxyde grâce à des mesures électriques de type courant/tension (IV), de capacité (C-V) ou de pompage de charges (CP). Dans les oxydes d'épaisseur supérieure à 5 nm nous pouvons étudier le SILC (Stress Induced Leakage Current) qui correspond à une augmentation du courant.

  • Titre traduit

    Experimental study of degradation phenomenon under several injection modes in ultra-thin oxides (<5nm) for microelectronic


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Informations

  • Détails : 146 f.
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. f. 139-146

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  • Bibliothèque : Université d'Aix-Marseille (Marseille. St Charles). Service commun de la documentation. Bibliothèque universitaire de sciences lettres et sciences humaines.
  • Disponible pour le PEB
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