Piégeage par implantation d'Hélium : interactions dopants-défauts

par Frédéric Cayrel

Thèse de doctorat en Sciences de l'ingénieur

Sous la direction de Robert Jérisian.

Soutenue en 2003

à Tours .


  • Résumé

    Les contaminations métalliques, lors de la réalisation de composant de puissance entraînent des dégradations. Pour palier à ce problème, on insère une étape de piégeage dans le processus de fabrication, parmi lesquelles on trouve l'implantation d'Hélium, efficace sur la plupart des impurtés métalliques. Ce travail a été consacré à l'étude des interactions dopants-défauts, jusqu'à présent négligées. Ce travail a permis de révéler et de quantifier le piégeage des dopants sur la zone de défauts mais aussi de mettre en évidence l'influence d'une telle couche sur la diffusion du dopant. Ces résultats ont ensuite permis de simuler le piégeage des dopants. Les propriétés électriques des défauts lacunaires sont également abordées et révèlent, entre autres, un effet de sur-dopage de le couche de défauts dans des échantillons de type p, faiblement dopés et la présence de niveaux accepteurs profonds proches du niveau Fermi introduits par les cavités

  • Titre traduit

    Helium implantation gettering : dopants-defects interactions


  • Résumé

    Metallic impurities contaminations, occurring during power device manufacturing, lead to degradation of the device performance. So it has to introduce, in the process, a gettering step, among which ones, the Helium implantation has proved its gettering efficiency for various metallic impurities. The aim of this work was to study the dopants-defects interactions, always ignored, in order to integrate this step in a device process. Firstly, we have evidenced and quantified the impact of such a defect layer on gettering and diffusion of the dopants. These results have been used to elaborate a model for a processing simulation tool of the dopant gettering. We have also studied in this work, the electrical properties of the voids-like defects, showing an over-doping effect of the cavity layer, in p-type samples, low-doped. We have also evidenced that cavities introduce acceptor states close to the mid-gap in both p and n-type samples

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Informations

  • Détails : 1 vol. (183-XX p. )
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Notes bibliogr.

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  • Bibliothèque : Université François Rabelais. Service commun de la documentation. Section Sciences-Pharmacie.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : T.S.2003 4030(1er ex.)
  • Bibliothèque : Université François Rabelais. Service commun de la documentation. Section Sciences-Pharmacie.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : T.S.2003-4030(2e ex.)
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