Films manganites orientés présentant une transition métal-isolant : dépôt par ablation laser, intégration sur silicium

par Jérôme Coulon

Thèse de doctorat en Sciences de l'ingénieur

Sous la direction de François Gervais.

Soutenue en 2003

à Tours .


  • Résumé

    Les oxydes de structure pérovskite à base de manganèse présentent en fonction des substitutions une forte incidence sur les propriétés électriques qui laisse entrevoir des applications comme un limiteur de courant et de tension. La technique retenue pour déposer le matériau oxyde en préservant sa cristallinité est l'ablation laser. La composition utilisée La0. 8Sr0. 2MnO3 ne se dépose pas de façon orientée sur un substrat silicium. Une partie de cette étude porte donc sur une interface d'épitaxie. Une méthode de synthèse de poudres fines de manganites et leur frittage, ont été expérimentés. Les résultats en terme de conductivité obtenus sur le nickelate massif ne sont retrouvés dans le film que si les conditions de dépôts sont contrôlées et maîtrisées. La croissance de la manganite est orientée. Mais on ne retrouve des performances proches de celles du monocristal que pour les manganites déposées sur l'aluminate de lanthane, le substrat qui présente le plus d'écart de maille avec la manganite. Ces résultats témoignent de la grande sensibilité des dépôts de manganites aux contraintes générées tant par la croissance, que l'écart de maille avec le substrat.

  • Titre traduit

    Oriented manganites films with metal-insulating transition : growing by pulsed laser deposition, silicium integration


  • Résumé

    In function of substitutions, the manganites oxydes with perovskite structure present a dramatic evolution of the electric properties. This shows the possibilities of making a limitor of current and voltage. The technique chooses to grown the films and preserves the cristallinity, is the pulsed laser deposition. The La0. 8Sr0. 2MnO3 grown without preferential orientation on Si substrate. A part of this study point on the development of a buffer layer. A original method of manganite fine powder synthesis have been used and it sintering have been optimized. The conductivity properties of the bulk nickelate are equivalent of the film only when the growth conditions are under control. The films of manganite are oriented but the properties near of the crystal are finding again for the lanthane aluminate substrate, which have the biggest mismatch with the manganite. The result shows the dramatic sensibility of manganite layer to the strains due to the grown and the mismatch.

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Informations

  • Détails : 1 vol. (122-[33] p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. p. 115-122

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  • Bibliothèque : Université François Rabelais. Service commun de la documentation. Section Sciences-Pharmacie.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : T.S.2003-4028(1er ex.)
  • Bibliothèque : Université François Rabelais. Service commun de la documentation. Section Sciences-Pharmacie.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : T.S.2003-4028(2e ex.)
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