Spéficité structurale et propriété d'oxyde de silicium déposé par procédé plasma

par Moncef Chayani

Thèse de doctorat en Matériaux, technologie et composant de l'électronique

Sous la direction de Bernard Despax.

Soutenue en 2003

à Toulouse 3 .

mots clés

• Pecvd
• Oxyde de silicium
• Dépôt plasma
• Sub-oxyde
• Caractérisation de surface
• Caractérisation électrique
• Matrice de silice
• Silice -- Couches minces
• Projection au plasma

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Titre traduit

On the origin of sructural et proprieties of PECVD silicia

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