Étude de cuprates BiSrCaCuO déficitaires en bismuth synthétisés par épitaxie par jets moléculaires

par Hicham El Alami

Thèse de doctorat en Sciences des matériaux

Sous la direction de Catherine Deville Cavellin.


  • Résumé

    Nous avons exploré un procédé qui permet d'augmenter le nombre moyen des plans CuO par cellule, tout en conduisant à une nanostructuration des composés. La séquence de départ est celle de la croissance du composé 2212 dans la quelle on a réduit essentiellement le temps de dépôt du bismuth. La contrainte prioritaire était de conserver une croissance bidimensionnelle pour assurer une bonne qualité cristalline des films. Qualitativement, les excès de cuivre ou de calcium tendent à induire une croissance rugueuse, tandis que strontium et bismuth tendent à stabiliser la croissance 2D. Plutôt que de réduire simultanément strontium et bismuth, ce qui conduit le plus souvent aussi à des croissances rugueuses, nous avons utilisé une séquence modifiée dont la partie correspondant au bloc [ Cu Ca Cu Sr] reste relativement fixée, en ne réduisant que la durée de dépôt de bismuth [ [ Où x est inférieur à I, et peut varier jusqu'à O. Les images de microscopie (FIRTEM) effectuées sur les films obtenus par cette séquence, pour déterminer quelle était la structure locale. Il apparaît sur ces images de haute résolution, que les plans BiO, les plus fortement contrasté sur le cliché, restent en majorité groupés par deux comme dans les composés conventionnels. Il apparaît sur cette image de haute résolution, que les plans BiO, les plus fortement contrastés sur le cliché, restent en majorité groupés par deux comme dans les composés conventionnels. En raison de la réduction du temps de dépôt de bismuth, une nucléation des blocs réservoirs autour de ces doubles plans BiO, conduit à une nanostructuration de régions chacune est caractérisée par un nombre n de plans CuO compris entre 2 et 6 si le facteur de réduction x de bismuth est supérieur ou de l'ordre de 1/2. Ces régions sont séparées par des défauts constitués par la terminaison de plans BiO, la distance moyenne entre ces défauts est ici d'environ 8nm. . .

  • Titre traduit

    BiSrCaCuO thin films with deficit of bismuth synthesized by molecular beam epitaxy


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Informations

  • Détails : 193 p.
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. en fin de chapitres

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