TY  - THES
DP  - 
		http://www.theses.fr/2003PA112021
TI  - Apport des techniques d'épitaxie à la technologie du MOSFET ultime : réalisation et étude d'hétérostructures IV-IV contraintes en tension sur Si(001)
AU  - Calmes, Cyril
A3  - Bouchier, Daniel
PY  - 2003
SP  - III-174 p. ou 
N1  - Thèse de doctorat Physique Paris 11 2003
N1  - 2003PA112021
ER  -