Caractérisation et modélisation du bruit en 1-f de transistors MOS issus de technologies CMOS à 0,25 [micromètres] et 0,18 [micromètres]

par Arsène Eya'a Mvongbote

Thèse de doctorat en Électronique, optronique et systèmes

Sous la direction de Matteo Valenza et de Alain Hoffmann.


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Informations

  • Détails : 187 p.
  • Annexes : Bibliogr. en fins de chapitres et p. 186-187

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  • Bibliothèque : Bibliothèque interuniversitaire. Section Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS 2003.MON-29
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