Homoépitaxie du Sic-4H à partir de différents précurseurs : réalisation du dopage p.

par Corinne Sartel

Thèse de doctorat en Physique appliquée

Sous la direction de Yves Monteil.

Soutenue en 2003

à Lyon 1 .


  • Résumé

    Grâce à ses propriétés intrinsèques, le carbure de silicium permet de réaliser des dispositifs pour la microélectronique de puissance pouvant fonctionner en milieux hostiles qu'il est impossible d'obtenir à partir de la filière silicium. Nous avons réalisé des couches de SiC de bonne qualité, d'épaisseur et de dopage bien contrôlés. Les précurseurs employés pour l'homoépitaxie du SiC-4H par CVD sont le mélange classique silane/propane et pour la première fois le mélange hexaméthyldisilane/propane. Différents paramètres de croissance influençant la morphologie de surface des couches épitaxiées, leurs propriétés optiques et électriques ont été étudiées. La comparaison des deux systèmes de précurseurs montre que l'hexamethyldisilane est un bon candidat pour remplacer le silane. Enfin nous avons étudié l'incorporation de l'aluminium dans les couches élaborées, à partir du triméthylaluminium avec les deux systèmes de précurseurs afin de maîtriser le dopage p du carbure de silicium


  • Pas de résumé disponible.

Consulter en bibliothèque

La version de soutenance existe sous forme papier

Informations

  • Détails : 221 p.
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : 152 réf. bibliogr.

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université Claude Bernard (Villeurbanne, Rhône). Service commun de la documentation. BU Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : T50/210/2003/202bis
Voir dans le Sudoc, catalogue collectif des bibliothèques de l'enseignement supérieur et de la recherche.