Élaboration et caractérisation de films minces d'oxyde d'indium dopé à l'étain obtenus par voie sol-gel : potentialité pour la réalisation d'électrodes sur silicium poreux

par Kaïs Daoudi

Thèse de doctorat en Physique. Optoélectronique

Soutenue en 2003

à Lyon 1 en cotutelle avec l'Université de Tunis El-Manar .


  • Résumé

    L'oxyde d'indium dopé à l'étain (ITO) présente une bonne transparence dans le visible et une importante conductivité électrique. Ce travail est consacré à l'étude des performances de films minces multicouches d'ITO obtenus par la voie sol-gel. La microscopie électronique en transmission (MET) a permis d'analyser morphologie et structure, et a mis en évidence pour la première fois la structure complexe de tels films sol-gel. La MET et l'analyse par rétrodiffusion de particules α ont précisé la corrélation entre la densité des multicouches, l'apparition de croûtes intermédiaires et la conductivité électrique résultante. Ce travail valide l'utilisation du recuit rapide pour la densification des films sol-gel en comparaison avec un traitement classique. Nous démontrons la potentialité de la voie sol-gel pour la croissnce d'électrodes d'ITO sur silicium poreux (SP). Les structures ITO/SP, pour lesquelles la photoluminescence du SP est partiellement préservée, ont été étudiées en terme de diode Schottky


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Informations

  • Détails : 112 p.
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : 92 réf. bibliogr.

Où se trouve cette thèse\u00a0?

  • Bibliothèque : Université Claude Bernard (Villeurbanne, Rhône). Service commun de la documentation. BU Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : T50/210/2003/36bis
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