Développement et applications de technologies émergentes pour les systèmes de communication à hautes performances

par Sébastien Nuttinck

Thèse de doctorat en Matériaux, technologies et composants de l'électronique

Sous la direction de Jean-Claude Portal.

Soutenue en 2003

à Toulouse, INSA .


  • Résumé

    The topic of this thesis is to discuss the performances and the applications of electronic devices fabricated using emerging technologies, in the context of high performances communication systems. After implementing the measurement setups and the modeling techniques that enable one to investigate microwave electronic devices in a systematic manner, we present an in depth analysis of the GaN, the SOI, and the 3D-MMIC technologies. From an application perspective, GaN field effect transistors target high power, low noise and high temperature microwave applications. The SOI and the 3D-MMIC technologies represent an alternative or a complement to the Si-CMOS technology in C-band.

  • Titre traduit

    Development and applications of emerging technologies for high performance communication systems


  • Résumé

    Le sujet de cette thèse est de discuter les performances et les applications de dispositifs électroniques fabriqués avec des technologies émergentes dans le contexte des systèmes de communication. Après avoir mis en place les systèmes de mesure et les procédures de modélisation qui permettent une analyse systématique de dispositifs électroniques hyperfréquences, nous présentons une étude approfondie de la technologie à base de Nitrure de Gallium (GaN), de la technologie à base de Silicium-Sur-Isolant (SOI), et de la technique d'intégration en trois dimensions de circuits intégrés (3D-MMIC), utilisant le diélectrique InterviaTM8000. Du point de vue des applications, les transistors à effet de champ en GaN concernent le domaine de la haute puissance, du faible bruit, et des hautes températures aux hyperfréquences, et les technologies SOI et 3D-MMIC représentent une alternative ou un complément à la technologie Si-CMOS pour des applications en bande C.

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La version de soutenance existe sous forme papier

Informations

  • Détails : 238 p.
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Notes bibliogr.

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées. Bibliothèque centrale.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 2003/688/NUT
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