Etude et modélisation de transistors bipolaires à hétérojonction SiGe : application à la conception d'oscillateurs radiofréquences intégrés

par Jérémy Raoult

Thèse de doctorat en Dispositifs de l'électronique intégrée

Sous la direction de Alain Poncet et de Christian Gontrand.

Soutenue en 2003

à Villeurbanne, INSA .


  • Résumé

    L'évolution croissante du marché des télécommunications et plus particulièrement des applications aux communications sans fils dans des bandes de fréquences de 900 MHz à 6 GHz entraîne une forte demande de fourniture de circuits intégrés. Notamment, la tendance actuelle est à l'augmentation du niveau d'intégration et à la diminution de la puissance consommée pour obtenir un terminal "bon marché" avec pour objectif l'augmentation de l'autonomie associée à des impératifs de mobilité. La technologie BICMOS répond parfaitement à ces besoins grâce à un compromis coût-performance très favorable. Dans ce contexte, le travail présenté dans ce mémoire est une contribution à la conception en technologie silicium d'oscillateurs locaux pour les applications radiofréquences. Via d'une part l'étude et la modélisation de transistors bipolaires à hétérojonction (TBH) Si/SiGe de la filière BiCMOS 6G 0. 35 æm de STMicroelectronics, et d'autre part l'optimisation d'un oscillateur contrôlé en tension fonctionnant à 5 GHz, ce travail est essentiellement axé sur l'étude des phénomènes de bruit électrique basse fréquence de TBH et sur leur conséquence pour la conception d'oscillateurs micro-ondes intégrés.


  • Résumé

    The expanding telecommunication market including specifically the field of wireless communication ranging from 900 MHz to 6 GHz leads to constant evolution in integrated circuits supply. The present trend is to increase the integration level and to decrease the consumed power in order to firstly obtain a cheap terminal, and secondly reach a greater autonomy. The BOCMOS technology gives a perfect answer to these needs as it offers a very interesting compromise between cost and performance. In this context, our work contributes to improve the design of local silicon oscillators for radio frequency applications. In a first part, it focuses the charcterization and modelling of SiGe heterojunction bipolar transistors (HBT) from ST Microelectronics 0. 35 micrometer BICMOS 6G technology. In a second part, it aims at optimizing a 5 GHz voltage controlled oscillators. Our study focuses on HBTs low frequency noise and on their consequences for integrated microwave oscillators design.

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Informations

  • Détails : 195 p.
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. à la fin de chaque chapitre

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées (Villeurbanne, Rhône). Service Commun de la Documentation Doc'INSA.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : C.83(2795)
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