Modélisation et simulation numérique d'un réacteur CVD pour le dépôt de couches minces de SiC

par Jérôme Meziere

Thèse de doctorat en Science et génie des matériaux

Sous la direction de Michel Pons.

Soutenue en 2003

à Grenoble, INPG .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    Le carbure de silicium (SiC) est un matériau semi-conducteur d'avenir pour la micro-électronique dans les domaines des hautes puissances ou des hautes températures pour lesquelles le silicium montre ses limites. Le dépôt en phase vapeur (CVD) du matériau est une étape clé dans la fabrication de composants à base de SiC et doit être encore mieux compris. Ce travail propose un ensemble de modélisations des phénomènes thermique, hydrodynamique et chimique qui permettent de décrire l'histoire de la croissance. Les modèles cinétiques homogènes et hétérogènes ont été mis en place à partir de résultats expérimentaux obtenus aux CEA-LETI (vitesse de croissance, gravure) et aussi à partir de simplifications de modèles déjà existants. Une première approche pour la modélisation de l'incorporation des espèces dopantes azotées a aussi été effectuée.


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Informations

  • Détails : 158 p.
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. p. 151-158

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  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
  • Non disponible pour le PEB
  • Cote : TS03/INPG/0089
  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS03/INPG/0089/D
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