Modélisation de composants RF en technologie CMOS pour les communications sans fils

par Haroun Ben Romdane

Thèse de doctorat en Radiofréquences et micro-ondes

Sous la direction de Eric Bergeault.

Soutenue en 2003

à Paris, ENST .


  • Résumé

    Les industriels des composants à semi-conducteurs s'efforcent à intégrer et à optimiser les circuits pour réaliser un système complet sur une seule puce. La technologie CMOS sur silicium répond à ces besoins. Ce travail consiste à étudier les composants en technologie CMOS de la société ATMEL. Des inductances, des capacités, des varactances ont été étudiés. Les méthodes de caractérisation et de modélisation, nous ont permis de déterminer tous les éléments des modèles. Un modèle non linéaire des transistors MOSFET a été obtenu. Basé sur des mesures en DC et des mesures de paramètres S, le modèle offre la possibilité de prédire le comportement du composant en fonction des tensions de commande Vgs et Vds et d'étudier le comportement en hautes fréquences du modèle de base BSIM3v3. Un banc de mesure de bruit a été développé; les mesures expérimentales associées à la connaissance des éléments du schéma électrique équivalent, permettent de caractériser en terme de bruit les transistors.

  • Titre traduit

    F components modelisation in CMOS technology for mobile telecommunications


  • Résumé

    The manufacturers of solid-state components endeavour to integrate and optimize the circuits in order to accomplish the whole system on one chip. One of most advanced integration technologies is CMOS on silicon. This work consists in studying the components of CMOS technology developed by the company ATMEL. Inductors, capacitors and varactors have been studied. The methods of characterization and modelling enabled us to determine all the elements of the models. A nonlinear model of MOSFET transistors was obtained. Based on DC and scattering parameters measurements, the model lets us predict the behaviour of the component with the Vgs and Vds voltage values. This model has been used to extend the BSIM3v3 model for use with high frequency signals. An experimental setup for noise measurement in microwave networks was developed. The experimental measurements associated with the knowledge of the electrical equivalent elements, allows the transistors characterization in terms of noise.

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Informations

  • Détails : 1 vol. (191 p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. 73 réf.

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