Modélisation de composants RF en technologie CMOS pour les communications sans fils

par Haroun Ben Romdane

Thèse de doctorat en Radiofréquences et micro-ondes

Sous la direction de Eric Bergeault.

Soutenue en 2003

à Paris, ENST .

  • Titre traduit

    F components modelisation in CMOS technology for mobile telecommunications


  • Pas de résumé disponible.


  • Résumé

    Les industriels des composants à semi-conducteurs s'efforcent à intégrer et à optimiser les circuits pour réaliser un système complet sur une seule puce. La technologie CMOS sur silicium répond à ces besoins. Ce travail consiste à étudier les composants en technologie CMOS de la société ATMEL. Des inductances, des capacités, des varactances ont été étudiés. Les méthodes de caractérisation et de modélisation, nous ont permis de déterminer tous les éléments des modèles. Un modèle non linéaire des transistors MOSFET a été obtenu. Basé sur des mesures en DC et des mesures de paramètres S, le modèle offre la possibilité de prédire le comportement du composant en fonction des tensions de commande Vgs et Vds et d'étudier le comportement en hautes fréquences du modèle de base BSIM3v3. Un banc de mesure de bruit a été développé; les mesures expérimentales associées à la connaissance des éléments du schéma électrique équivalent, permettent de caractériser en terme de bruit les transistors.

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Informations

  • Détails : 1 vol. (191 p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. 73 réf.

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  • Bibliothèque : Télécom ParisTech. Bibliothèque scientifique et technique.
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