Simulation de la diffusion de dopants de type P dans les structures à base d'INP

par Mékioussa Ihaddadene Lenglet

Thèse de doctorat en Physique. Electronique, Optronique, Systèmes

Sous la direction de Kaouther Kétata.

Soutenue en 2002

à Rouen .


  • Résumé

    Les études sur la modélisation de la diffusion du béryllium (BE) dans les matériaux III-V sont entreprises afin de répondre aux problèmes posés par la diffusion indésirable des dopants de type p pendant les différentes étapes de réalisation des composants actifs et plus particulièrement dans les transistors bipolaires à hétérojonction. Ce travail de thèse concerne d'une part, la modélisation de la diffusion du Be dans des structures épitaxiées : homojonctions ternaire (GaInAs) et quaternaire (GaInAsP) et l'hétérojonction ternaire/binaire (GaInAs/InP) et d'autre part, celle du Be implanté dans l'homojonction InGaAS, avec la prise en compte du piégeage de ce type de dopant dans la zone de défauts générés par l'implantation ionique. Plusieurs modèles basés sur le mécanisme kick-out ont été proposés. La résolution des différents systèmes d'équations à l'aide de la méthode des différences finies et celle des lignes a permis la simulation de la diffusion du Be dans les structures étudiées.


  • Résumé

    Modelling of beryllium (Be) diffusion in III-V materials is carried out in order to resolve the problems caused by undesirable diffusion of p-type dopants during different steps of fabrication of active components, particularly in heterojunction bipolar transistors. This work concerns the modelling and numerical simulation of Be diffusion, firstly in ternary homojunction (GaInAs), quaternary homojunction (GaInAsP) and in heterojunction (GaInAs/InP) epitaxial structures, then finally in implanted InGaAs homojunction, taking into account the Be trapping by the extended defects generated by ion implantation. Several models based on kick-out mechanism have been proposed. The resolution of differential equation systems using both the finite difference method and the line method permits the simulation of Be diffusion in the studied structures.

Consulter en bibliothèque

La version de soutenance existe sous forme papier

Informations

  • Détails : 154-[21] p.
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. p. 119-132

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Ecole nationale supérieure de céramique industrielle. Bibliothèque.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 85 IHA
  • Bibliothèque : Université de Rouen. Service commun de la documentation. Section sciences site Madrillet.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 02/ROUE/S045
Voir dans le Sudoc, catalogue collectif des bibliothèques de l'enseignement supérieur et de la recherche.