Défaillances électriques et défauts structuraux dans les dispositifs de puissance à base de silicium : une étude par microscopie électronique en transmission

par Anouck Rivière-Jerome

Thèse de doctorat en Matériaux, technologies et composants pour l'électronique

Sous la direction de Colette Levade et de Guy Vanderschaeve.

Soutenue en 2002

à Toulouse, INSA .

  • Titre traduit

    Electrical failures and structural defects in silicon power devices : A transmission electron microscopy study


  • Pas de résumé disponible.


  • Résumé

    Bien que les procédés de fabrication actuels des dispositifs électroniques aient considérablement réduit les densités de défauts cristallins, la miniaturisation des systèmes rend plus critique qu'auparavant l'incidence de ces défauts sur les performances électriques des composants et nécessite une meilleure compréhension de leurs propriétés. Notre objectif est de caractériser à l'échelle sub-micrométrique certains défauts structuraux du silicium générés par le procédé de fabrication des composants de puissance de technologie BICMOS issus des lignes de production de MOTOROLA S. A. S, dont la présence à une influence néfaste sur le fonctionnement des dispositifs. Associée aux techniques d'analyses de défaillances, la microscopie électronique en transmission (MET) représente un outil de choix dans la réalisation de cet objectif. Notre recherche s'est focalisée sur deux types de défauts : les lignes de glissement et les précipités de fer liés à une contamination accidentelle.

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Informations

  • Détails : 1 vol. ( 141 p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. p. 137-141

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées. Bibliothèque centrale.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 2002/676/RIV
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