Plasticity of the compound semiconductors at low temperatures : modelling of the uniaxial compression and indentation tests

par Radek Lohonka

Thèse de doctorat en Physique de la matière

Sous la direction de Jan Kratochvil et de Guy Vanderschaeve.


  • Résumé

    This thesis deals with the plastic behaviour of compound semiconductors in the low temperature--high stress regime. Compressive stress-strain curves are calculated with models based on the formalisms of Alexander-Haasen or Schoeck extended to include simple glide/multiglide and one/three types of perfect dislocations with different mobilities. The impossibility to describe the crystal plasticity below some temperature with the available dislocation velocities data suggests a change in the controlling microscopic mechanisms. The negative photoplastic effect in GaAs is simulated. Modelling the response of the crystal to Vickers indentation is performed using elastic analytical expressions for the stress tensor: the stress distribution can be considered as nearly spherical although the plastic zone is far from it. Early stages of the formation of the plastic zone are described with the continuum crystal plasticity theory implementing the constitutive laws into the finite element method.


  • Résumé

    Ce travail est une contribution à l'étude de la plasticité des semi-conducteurs composés dans le domaine basse température--forte contrainte. La compression uniaxiale est simulée à partir des formalismes de Haasen-Alexander ou de Schoeck, adaptés pour des dislocations de mobilité différente, en glissement simple ou multiple. Il est impossible de décrire la plasticité en deçà d'une température critique à l'aide des lois de vitesses de dislocations disponibles, ce qui suggère un changement de mécanisme microscopique. L'effet photoplastique négatif est également abordé. La zone plastique autour d'une indentation Vickers est modélisée en considérant les expressions analytiques du tenseur des contraintes élastiques: un champ de contrainte sphérique constitue une bonne approximation. Les premiers stades de la formation de cette zone sont calculés par la méthode des éléments finis en introduisant les lois constitutives de la plasticité

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Informations

  • Détails : 1 vol. (162 p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. p. 159-162

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université Savoie Mont Blanc (Annecy-le-Vieux). Bibliothèque de Polytech'Annecy-Chambéry, site d'Annecy.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : T P2002/13
  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées. Bibliothèque centrale.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 2002/667/LOH
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