Etude de la faisabilité de composants de puissance sur substrat en carbure de silicium sur isolant (SiCOI)

par Nicolas Daval

Thèse de doctorat en Dispositifs de l'Electronique Intégrée

Sous la direction de Jean-Pierre Chante.


  • Résumé

    Le substrat SiCOI est à la fois un substrat bas-coût, dans un contexte d'approvisionnement difficile de substrats SiC massifs, et d'autre part ses propriétés en font un substrat de choix dans le secteur de l'intégration monolithique de systèmes de puissance. Nous avons réalisé la démonstration de la faisabilité de composants de puissance. Nous avons réalisé la démonstration de la faisabilité de composants de puissance sur ce substrat par la fabrication de diodes Schottky et le MESFET. Nous avons étudié les possibilités qu'offrait ce substrat avec et sans réépitaxie. Ce travail a permis la mise au point d'une technique innovante de prise de contact Schottky en pente, adaptée aux composants latéraux sur SiCOI. D'autre part nous avons également mis en évidence l'intérêt de la possibilité d'utiliser les techniques RESURF (Reduce SURface Field) sur ce substrat. Nous concluons sur le réel intérêt de mettre au point un interrupteur de puissance sur ce substrat pour concrétiser son utilisation prometteuse dans des applications de systèmes de puissance sur une puce.

  • Titre traduit

    = Feasibility study of power devices onto silicon carbide on insulator substrate(SiCOl)


  • Résumé

    SiCOI substrate has two advantages over other substrates: it is a low-cost SiC substrate in a difficult market and also a promising substrate in the field ofmonolithic power electronic. We demonstrated the feasibility of power devices on Si COI substrate, by the fabrication of Schottky diodes and MESFET transistors. We studied that substrate with and without epitaxial SiC layer. This work includes an innovative slope Schottky contact, really interesting for the lateral power devices on SiCOI. What is more, we demonstrated the interest and the possibility of using the RESURF effect (REduce SURface Field) with those substrates. We conclude on the necessity of a power switch on that substrate. Researches on a switch are needed for the monolithic integration of power systems.

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Informations

  • Détails : XII-177 p.
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. p. 163-172

Où se trouve cette thèse\u00a0?

  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées (Villeurbanne, Rhône). Service Commun de la Documentation Doc'INSA.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : C.83(2729)
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