Evaluation de la robustesse de circuits intégrés vis-à-vis des décharges électrostatiques

par Agnès Guilhaume

Thèse de doctorat en Dispositifs de l'électronique intégrée

Sous la direction de Jean-Pierre Chante.

Soutenue en 2002

à Lyon, INSA .


  • Résumé

    L'objectif de ce mémoire est de déterminer des critères de sélection de composants robustes vis-à-vis des décharges électrostatiques (ESD). Les tests industriels (HBM, MM) ne rendent pas compte du comportement dynamique des composants et les utilisateurs de composants sont perplexes face à la diversité des tests (TLP, CDM). Une approche méthodique, alliant mesures et simulations physiques, est donc présentée et validée. Elle s'applique à des structures de protection ESD (transistor GGNMOS, thyristor SCR, dispositif LVTSCR) microniques et submicroniques. Elle explicite le mode de fonctionnement physique des dispositifs et elle renseigne sur l'impact des évolutions technologiques sur la robustesse ESD. Les travaux se terminent par des recommandations destinées aux utilisateurs de composants et relatives au choix de composants fiables vis-à-vis des décharges électrostatiques. Les tests ESD les plus utiles sont également définis.

  • Titre traduit

    = Assessment of the robustness of integrated circuits against electrostatic discharges


  • Résumé

    The aim of this dissertation is to define criteria to select proper devices to withstand ElectroStatic Discharges (ESD). The industrial tests (HBM, MM) do not take into account the dynamic behaviour of devices and the users of electronic components are puzzled by the variety of new ESD tests (TLP, CDM…). A methodical approach, allying experimental characterisations and physical simulations, was thus presented and validated. It was applied to elementary structures of ESD protection (GGNMOS, SCR, LVTSCR) built either with the same technology or with different technologies (micronic and submicronic). We were then able to compare the current-voltage characteristics and the physical behaviour of those devices. This work gives data on the impact of the process evolutions on the ESD ruggedness and on the most useful ESD tests. It also helps to define pieces of advice dedicated to users of components and related to the choice of highly protected devices.

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Informations

  • Détails : 1 vol.(161 p).
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. p.149-161

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées (Villeurbanne, Rhône). Service Commun de la Documentation Doc'INSA.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : C.83(2651)
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