Etude des caractéristiques statiques et du bruit basse fréquence de transistors bipolaires NPN intégrés dans des procédés BiCMOS haute fréquence à simple et double polysilicium

par Nicolas Valdaperez

Thèse de doctorat en Électronique et micro-électronique

Sous la direction de Régis Carin.

Soutenue en 2002

à Caen .


  • Résumé

    Ce mémoire est consacré à l'étude au 1er et au 2ème ordre de transistors bipolaires NPN issus de procédés BiCMOS à simple et double polysilicium, dans le but de qualifier les diverses technologies et d'apporter des interprétations physiques. Les résultats sont interprétés en tenant compte des spécificités des procédés. En technologie simple poly, deux cas sont distingués. Pour les composants de faible surface, le bruit évolue avec le carré du courant de base et la source de bruit est localisée à l'interface mono/poly de l'émetteur. Pour les composants de grande surface, le bruit évolue linéairement avec le courant de base et est corrélé au niveau de courant non-idéal de base. En technologie double poly, le bruit évolue quadratiquement avec la polarisation. Contrairement aux résultats relevés dans la littérature, la normalisation par la surface n'est pas satisfaisante. Un modèle considérant une variation de l'épaisseur de l'oxyde est proposé et appliqué avec succès aux résultats.


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Cette thèse a donné lieu à une publication en 2003 par [CCSD] [diffusion/distribution] à Villeurbanne

Etude des caractéristiques statiques et du bruit basse fréquence de transistors bipolaires NPN intégrés dans des procédés BiCMOS haute fréquence à simple et double polysilicium

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Informations

  • Détails : 159 p.
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. p. 141-146

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université de Caen Normandie. Bibliothèque Rosalind Franklin (Sciences-STAPS).
  • Non disponible pour le PEB
  • Cote : TCAS-2002-58
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