Interactions entre défauts étendus et anomalies de diffusion des dopants dans le silicium : modèle physique et simulations prédictives

par Benjamin Colombeau

Thèse de doctorat en Matériaux, technologies et composants de l'électronique

Sous la direction de Alain Claverie.

Soutenue en 2001

à Toulouse 3 .

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Informations

  • Détails : 142 p.
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. P.124

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  • Bibliothèque : Université Paul Sabatier. Bibliothèque universitaire de sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 2001TOU30128

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  • Non disponible pour le PEB
  • Cote : MF-2001-COL
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