High/low temperature C-V Characterization of defects in ultra thin SiO2 films

par Jean-Yves Rosaye

Thèse de doctorat en Micro-électronique

Sous la direction de Pierre Mialhe.

Soutenue en 2001

à Perpignan - Nagoya .


  • Résumé

    Lorsqu'une structure MOS (Métal Oxyde Semiconducteur) est soumise à une perturbation extérieure (exemple : un fort champ électrique, ou une radiation) il y a génération de défauts dans la couche d'oxyde et à l'interface oxyde-semiconducteur. Si on arrive aisément à mesurer séparément les états d'interface (défauts d'interface Si/SIO2) et les défauts d'oxyde à l'aide des méthodes électriques, il nous est actuellement difficile de séparer entre les différents types de défauts d'oxydes (charge positive, négative et pièges de bords). Dans ce travail, on envisage l'utilisation d'une procédure qu'on définit et qui dérive d'une méthode capacitive connue sous le nom de méthode de Jenq pour apporter des informations supplémentaires sur la démarche à suivre afin de séparer entre les différents types de défauts d'oxyde.


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Informations

  • Détails : 110 f

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université Perpignan Via Domitia. Service commun de la documentation. Section Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TH ROS 2001
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