Transistors bipolaires à hétérojonction à collecteur métallique (M. H. B. T. ) à base fine : réalisation technologique dans la filière InP/InGaAs et caractérisation

par Sylvain Demichel

Thèse de doctorat en Électronique

Sous la direction de Jean-Luc Pelouard.

Soutenue en 2001

à Paris 6 .

  • Titre traduit

    InP/InGaAs metal collector-up heterojonction bipolar transistor (M. H. B. T. ) with thin base : process improvements and characterization


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Informations

  • Détails : [IV]-146 p.
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. p. 143-146

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  • Bibliothèque : Université Pierre et Marie Curie. Bibliothèque Universitaire Pierre et Marie Curie. Section Biologie-Chimie-Physique Recherche.
  • Consultable sur place dans l'établissement demandeur
  • Cote : T Paris 6 2001
  • Bibliothèque : Université Pierre et Marie Curie. Bibliothèque Universitaire Pierre et Marie Curie. Section Biologie-Chimie-Physique Recherche.
  • Consultable sur place dans l'établissement demandeur
  • Cote : T Paris 6 2001 545
  • Bibliothèque : Centre Technique du Livre de l'Enseignement supérieur (Marne-la-Vallée, Seine-et-Marne).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : PMC RT P6 2001
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