Transistors bipolaires à hétérojonction à collecteur métallique (M. H. B. T. ) à base fine : réalisation technologique dans la filière InP/InGaAs et caractérisation

par Sylvain Demichel

Thèse de doctorat en Électronique

Sous la direction de Jean-Luc Pelouard.

Soutenue en 2001

à Paris 6 .

  • Titre traduit

    InP/InGaAs metal collector-up heterojonction bipolar transistor (M. H. B. T. ) with thin base : process improvements and characterization


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Informations

  • Détails : [IV]-146 p.
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. p. 143-146

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