Etude physique de dispositifs SOI partiellement désertés fortement sub-microniques

par Claire Fenouillet-Béranger

Thèse de doctorat en Micro-électronique

Sous la direction de Francis Balestra.

Soutenue en 2001

à Grenoble, INPG .

    mots clés mots clés


  • Résumé

    L'intérêt grandissant porté aux applications basse tension et faible consommation fait de la technologie CMOS/SOI la technologie la plus prometteuse de ces dix prochaines années. Le gain croissant en performances nécessite la mise au point de dispositifs de longueur de grille de plus en plus réduite, alimentés par des tensions d'alimentation proches de 1V. Ce manuscrit présente l'étude physique et la mise au point de ces dispositifs. Les chapitres I et II introductifs présentent les matériaux et transistors SOI avec leurs avantages respectifs. Les principaux effets à contrôler afin d'optimiser les propriétés électriques des composants avancés et les mécanismes particuliers aux dispositifs SOI sont exposés. Le chapitre III est essentiellement consacré à la comparaison simulation/expérience afin de comprendre l'écart existant entre eux. La simulation des profils de dopage canal, des effets de canaux courts inverses, l'impact de la déplétion de grille, l'influence des effets quantiques ainsi que les effets de substrat flottant sont étudiés. Le développement de l'architecture des dispositifs SOI 0. 1 [mu]m fait l'objet du chapitre IV. L'impact de plusieurs étapes technologiques (implantation ionique : énergie, dose, tilt. . . ) est étudié par simulation pour les transistors NMOS et PMOS. Les meilleurs points de fonctionnement ont été testés sur deux premiers lots électriques dont les résultats sont analysés. Cette étude a conduit à une nette amélioration de la technologie. Le chapitre V est entièrement consacré à l'isolation latérale entre dispositifs SOI. Les limitations de l'isolation LOCOS sont montrées ainsi que les avantages apportés par une isolation par tranchées. La dernière partie de ce manuscrit est relative à la caractérisation des effets spécifiques aux composants MOS/SOI. L'effet d'auto-échauffement, le transistor bipolaire parasite, la résistance de body et le potentiel de body font ainsi l'objet de mesures et de simulations.


  • Pas de résumé disponible.

Consulter en bibliothèque

La version de soutenance existe sous forme papier

Informations

  • Détails : 200 p.
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Notes bibliogr.

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
  • Non disponible pour le PEB
  • Cote : TS01/INPG/0131
  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS01/INPG/0131/D
Voir dans le Sudoc, catalogue collectif des bibliothèques de l'enseignement supérieur et de la recherche.