Etude structurale, physique et électrique de nouveaux matériaux

par Sofiane Zairi

Thèse de doctorat en Sciences. Dispositifs de l'électronique intégrée

Sous la direction de Nicole Jaffrezic-Renault.

Soutenue en 2001

à l'Ecully, Ecole centrale de Lyon .


  • Résumé

    Ce travail concerne les caractéristiques pour la détection ionique, de structures silicium poreux oxydé/silicium fonctionnalisées par des molécules de calixarènes. Les sensibilités aux ions sodium de structures planes silice/silicium et de silicium poreux oxydé/silicium, fonctionnalisées avec un film mince de molécules de p-tert-butylcalix[4]arène, sont comparées. La variation du potentiel de bande plate des structures planes silice/silicium en fonction de la concentration des ions sodium est environ 56mV/pNa. Quand la porosité du silicium poreux oxydé varie de 57% à 65%, la sensibilité des structures silicium poreux oxydé fonctionnalisé/silicium varie de 180mV/pNa à 233 mV/pNa. Ce sont de très grandes valeurs de sensibilité, comparées à la loi de Nernst. Afin d'expliquer de telles réponses sub-nernstiennes, nous avons étudié l'effet des paramètres de la couche poreuse (porosité, épaisseur de la couche poreuse et surface interne) sur la sensibilité.

  • Titre traduit

    Structural, physical and electrical study of new materials : oxidized porous silicon and electrodeposited polyethyleneimine with a view to elaboration of microsensors for ionic detection and biochemical detection


  • Pas de résumé disponible.


  • Résumé

    This presentation shows the features of the oxidised porous silicon/structures functionalized with calixarene molecules for the ionic detection. The sensitivities to sodium ions of flat silica/silicon structures and oxidised porous silicon/silicon structures both functionalized with a deposited thin film of p-tert-butylcalix[4]arene molecules are compared. The variation of the flat-band potential of the functionalized flat silica/silicon structures versus concentration of sodium ions is about 56mV/pNa. When the porosity of the oxidised porous silicon varies from 57% to 65%, the sensitivity of the functionalize oxidised porous Si/Si varies from 180 mV/pNa. These are very large values of sensitivities when compared to the Nernstian one. In order to explain such an over-Nernstian response, we have studied the effect of the porous layer parameters (porosity, pore morphology, porous layer thickness, and the internal surface area) on the sensitivity.

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Informations

  • Détails : 1 vol. (178 p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : 240 réf.

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Ecole centrale de Lyon. Bibliothèque Michel Serres.
  • Non disponible pour le PEB
  • Cote : T1874
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