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Etude théorique et expérimentale d'un convertisseur de polarisation intégré sur semiconducteur de type III-V
| Auteur / Autrice : | Nicolas Grossard |
| Direction : | Henri Porte |
| Type : | Thèse de doctorat |
| Discipline(s) : | Sciences pour l'ingénieur |
| Date : | Soutenance en 2001 |
| Etablissement(s) : | Besançon |
| Partenaire(s) de recherche : | autre partenaire : Université de Franche-Comté. UFR des sciences et techniques |
Mots clés
Mots clés contrôlés
Résumé
Les problèmes associés aux fluctuations de l'état de polarisation des signaux lumineux transitant dans la fibre optique limitent actuellement les débits en transmission. Les solutions basées sur un contrôle de la polarisation du signal utilisent principalement les propriétés de la fibre optique, des cristaux liquides ou du niobate de lithium (LiNbO3) pour les composants d'optique intégrée. Toutefois, la nature même de ces matériaux ne permet pas d'associer sur une même puce les fonctions optiques et électroniques. Pour relever le défit de la miniaturisation des dispositifs, l'utilisation des matériaux semiconducteurs s'impose. L'objectif de ce travail de thèse s'inscrit dans ce cadre : il s'agit d'étudier puis de concevoir un convertisseur de polarisation TE/TM intégré sur substrat semiconducteur III-V de type GaAs. Le composant se base sur l'effet électro-optique linéaire pour modifier l'état de polarisation du signal optique. . .