Etude de la faisabilité de caissons traversant dans le silicium pour application aux composants de puissance

par David Barge

Thèse de doctorat en Science des matériaux

Sous la direction de Bernard Pichaud.

Soutenue en 2001

à Aix-Marseille 3 .


  • Résumé

    La diffusion de dopants dans le silicium, sur des profondeurs dépassant dix microns, est un procédé peu étudie en technologie nucro-éîèctroniquc, Celui ci est pourtant potentiellement utile pour l'élaboration de dispositifs de puissance aux propriétés électriques originales. Cette diffusion nécessite cependant la mise en oeuvre des recuits particulièrement longs ̂à des température très élevées. Les. Effets de ce type de traitement thermique sur les propriétôs'du silicium sont peu connus. Nous avons étudié Pimpact de ces recuits sur l'état de surface et les propriétés électriques du silicium orienté (100). Nous avons pu mettre alors en évidence une fortedégradation de la surface. Celle ci à pu être pu reliée à une dynamique de surface inattendue, dont nous avons pu rendre compte des effets sur la topographie de la face * (100) au moyen d'un modèle BCT. La dégradation des propriétés électriques du silicium, elte, a pu être reliée à la diffusion d p̂uretés, dont nous avons pu atténuer les effets ne procédant à une neutralisation appropriée de leur propriétés électriques.

  • Titre traduit

    Feasability of deep wells in silicow for power devices applications


  • Résumé

    Diffusion of dopants in silicon in depths exceeding 10 micron is a process rarely studied micro-electromcs. This kind of process of some interest for the elaboration of specific power devices. However, to perform such diffusion, a long time si needed, even a high temperature, and the consequence of a this long annealing on the properties of silicon are almost unknown. We have studied the impact of these annealings on the surface state and the electric properties of (100) silicon. A strong perturbation of the surface state was shown. This degradation could be linked with an unsuspected surface dynamic, that can be explained with an adapted BCF model. The observed degradation of the electrical properties of the silicon could be linked with impurities diffusion during the annealing. We have shown that it was possible to reduce the effects of these impurities by an adequate gettering.

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Informations

  • Détails : 135-[27] p.
  • Notes : Publication non autorisée par le jury car non corrigée
  • Annexes : Bibliogr. p. [24-27]

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  • Bibliothèque : Université d'Aix-Marseille (Marseille. Saint-Jérôme). Service commun de la documentation. Bibliothèque de sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : T 3078
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