Elaboration et caracterisations de films minces piezoelectriques de pzt et de pnzt deposes sur silicium par pulverisation cathodique. Integration dans les microsystemes

par THIBAULT HACCART

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Denis Remiens.

Soutenue en 2000

à Valenciennes .

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  • Résumé

    Ce travail presente, notamment, les resultats relatifs aux proprietes piezoelectriques de films minces de pzt et de pnzt deposes par pulverisation cathodique dans le but d'une integration dans les microsystemes silicium. L'evolution de leurs performances a ete etudiee en fonction de la structure cristalline, de la microstructure, de l'epaisseur du film et de la concentration de dopant (le niobium). Il a ete mis en evidence que la contribution des domaines et des parois de domaines ferroelectriques est capitale pour l'obtention de performances piezoelectrique elevees. Ainsi l'epaississement des films, la croissance des grains et les faibles concentrations de dopant ont un effet benefique sur les proprietes dielectriques, ferroelectriques et piezoelectriques des films de pzt. La realisation de dispositifs integrant un actionnement piezoelectrique a ete demontree. Dans ce cadre, de nouvelles technologies dediees au materiau pzt ont ete developpees au laboratoire : depot localise, reprise, gravure ionique.

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Informations

  • Détails : 201 p.
  • Annexes : 147 ref.

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis. Service commun de la documentation. Site du Mont Houy.
  • Disponible pour le PEB
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