Elaboration et etude de couches minces de polymeres (organiques et inorganiques) en vue d'applications electroniques et optoelectroniques (diodes electroluminescentes)

par KODJO D'ALMEIDA

Thèse de doctorat en Sciences et techniques

Sous la direction de Jean-Christian Bernède.

Soutenue en 2000

à Nantes .

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  • Résumé

    Le present memoire porte sur le dopage par l'iode de polymeres et sur les problemes de duree de vie des diodes electroluminescentes organiques (oleds). L'iode a ete utilise pour doper des couches minces de polymeres ; l'un organique, le poly(n-vinylcarbazole), l'autre inorganique, le selenium. Lorsque des couches pre-dopees sont obtenues par evaporation de poudres dopees a l'iode, leurs proprietes sont deteriorees par des trous et des crevasses. Ces desagrements peuvent etre evites lorsque les couches sont deposees a partir de poudres pures puis post-dopees. L'optimisation de cette technique de post-dopage est ensuite developpee pour le selenium. Avec un recuit tres controle sous pression d'iode, les couches sont homogenes. Leur bonne qualite cristalline peut expliquer leur conductivite elevee. Il a ete montre que les couches minces de carbazole (cz) emettent dans le bleu. Des oleds sno 2/cz/al ont ete obtenues par evaporation sous vide. Cependant, la reproductibilite de leur fonctionnement est faible. La stabilite des echantillons est amelioree lorsqu'une fine couche de poly(tetrabromo-p-phenilenediseleniure) (pbrpdse) est introduite entre le cz et le sno 2. Les proprietes des couches minces evaporees de pbrpdse ont ete systematiquement etudiees. Il est montre que la molecule du monomere est preservee pendant le depot mais que les couches sont essentiellement composees d'oligomeres. L'electroluminescence des structures sno 2/pbrpdse/cz/al apparait un peu apres la tension de seuil du courant. Cela est egalement vrai pour les oleds obtenues en utilisant des derivees vinyliques de thiophene polymerisees electrochimiquement. Il est montre que les caracteristiques i-v peuvent etre expliquees par l'effet tunnel. Le courant aux faibles tensions est tres irregulier avec un effet de resistance differentielle negative et de commutation. Ce courant provient de passages localises dus aux heterogeneites des interfaces, ce qui peut expliquer les problemes de duree de vie des diodes.

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Informations

  • Détails : 202 p.
  • Annexes : 285 ref.

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université de Nantes. Service commun de la documentation. Section Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 00 NANT 2080
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