Caractérisation et modélisation basse fréquence de transistors PHEMT AlGaAs/InGaAS/GaAs : bruits du canal, de la grille et corrélation

par Jean-Charles Vildeuil

Thèse de doctorat en Électronique, optronique et systèmes

Sous la direction de Matteo Valenza.

Soutenue en 2000

à Montpellier 2 .


  • Résumé

    La realisation d'un oscillateur a haute purete spectrale passe obligatoirement par une phase de conception assistee par ordinateur afin de determiner la topologie optimale du circuit oscillateur en terme de bruit de phase. Le bruit de phase de l'oscillateur etant etroitement lie au bruit basse frequence du transistor utilise, ici des phemts (pseudomorphic high electron mobility transistors), il faut etudier le comportement en bruit de fond du composant. L'objet de ce travail est donc sur le plan pratique l'elaboration de schemas equivalents rendant compte du fonctionnement statique ou dynamique du transistor et prenant en compte les differentes sources de bruit basse frequence presentes dans le composant. Ces modeles seront ensuite utilises pour la simulation precise des oscillateurs concus. Apres une breve description des caracteristiques des oscillateurs, nous presentons dans ce memoire le principe de fonctionnement des transistors hemt et les phenomenes mis en jeu pour aboutir aux equations de conduction. A partir de ces equations, une methodologie de caracterisation a permis d'extraire l'ensemble des parametres electriques rendant compte de maniere satisfaisante du fonctionnement du composant. Les mesures experimentales relatives aux bruits de fond du drain et de l'electrode de commande ont egalement ete analysees dans le detail. Enfin, la fonction de coherence entre le bruit associe a la grille et celui associe au drain est etudiee. La simulation presentee permet de valider les schemas equivalents et les modeles proposes.


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  • Détails : vi, 165 p
  • Annexes : Notes bibliogr

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  • Cote : TS 2000.MON-151

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