Etude de diodes lasers à base de GaAsSb/GAInAs/GaAs sur substrat de GaAs pour une émission à 1,3 "mu"m

par Lila Nafa

Thèse de doctorat en Électronique, optronique et systèmes

Sous la direction de SERGE GAILLARD.

Soutenue en 2000

à Montpellier 2 .


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  • Résumé

    Ce travail de these porte sur l'etude d'un systeme de materiaux innovants a base de gaassb/gainas/gaas sur substrat de gaas, en vue de la realisation de lasers emettant a 1,3 m. Nous avons d'abord montre a partir de mesures de photoluminescence et de photovoltage, que la discontinuite de bandes a l'interface gaassb/gaas etait de type ii (qv = 1,35). Sur la base de ce resultat, nous avons propose deux structures lasers a double puits quantiques gaassb/gainas et barriere de gaas, l'une asymetrique, l'autre symetrique, capables d'emettre a 1,3 m. Ces structures lasers ont ete realisees par epitaxie par jets moleculaires au cnet de bagneux. L'emission stimulee a ete obtenue a temperature ambiante sur des diodes laser ridge. Malheureusement, la longueur d'onde d'emission etait inferieure a 1,2 m, ce qui correspond a une transition entre niveaux quantiques excites. Le calcul du gain optique dans les deux types de structures, montre que la transition fondamentale a 1,3 m, peut neanmoins etre obtenue sur des lasers a plusieurs puits quantiques (n w = 3) et a faibles pertes (<10 cm - 1).

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Informations

  • Détails : [16], 152 p
  • Annexes : Bibliogr.: p. 146-152

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  • Bibliothèque : Bibliothèque interuniversitaire. Section Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS 2000.MON-71
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