Techniques alternatives de cristallogenèse du carbure de silicium

par Didier Chaussende

Thèse de doctorat en Sciences. Chimie inorganique

Sous la direction de Yves Monteil.

Soutenue en 2000

à Lyon 1 .

Le jury était composé de Yves Monteil.


  • Résumé

    Les propriétés du SiC en font un matériau stratégique pour la microélectronique. Cependant, les difficultés liées à l'obtention de monocristaux, et notamment les hautes températures requises, limitent son développement. Face aux techniques existantes (CVD, Sublimation, HTCVD) nous proposons trois nouvelles approches afin d'abaisser la température d'élaboration : le transport chimique en phase vapeur (CVT), l'épitaxie en phase liquide à basse température (LTLPE) et la croissance par un mécanisme Vapeur-Liquide-Solide (VLS). Après une simulation thermodynamique du procédé CVT, nous présentons les essais de transport par HBr. Pour la LTLPE, l'étude approfondie des conditions thermodynamiques et du mécanisme de germination et croissance spontanée de SiC dans un alliage Al-Si sont présentés. Dans le cas de la technique VLS, l'élaboration de couches monocristallines épaisses est étudiée dans différentes configurations en utilisant le silicium comme catalyseur liquide.


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Informations

  • Détails : 1 vol. (v-210 p.)
  • Annexes : Bibliogr. p. 204-210

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  • Bibliothèque : Université Claude Bernard (Villeurbanne, Rhône). Service commun de la documentation. BU Sciences.
  • Disponible pour le PEB
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