Contribution à l'optimisation d'une technologie de composants hyperfréquences réalisés en carbure de silicium (SIC)

par Anne-Sophie Royet

Thèse de doctorat en Sciences et techniques

Sous la direction de Béatrice Cabon.

Soutenue en 2000

à l'INP GRENOBLE .

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  • Résumé

    Le carbure de silicium (sic) est un materiau a large bande interdite combinant une vitesse de saturation des electrons elevee, un fort champ de claquage, une tres bonne conductivite thermique et de nombreuses proprietes specifiques qui en font un candidat de choix pour repousser les limites du silicium (si) et de l'arseniure de gallium (asga), dans les domaines de la puissance, des hautes temperatures et des hautes frequences. Ce travail presente la caracterisation et la modelisation de dispositifs sic dedies en particulier aux applications hyperfrequences de puissance. Les avantages du sic pour ce type d'applications sont detailles dans le premier chapitre. La description des principes de mesure en haute frequence est aussi presentee. Dans le second chapitre, nous avons caracterise des lignes de transmission coplanaires realisees sur des substrats sic de resistivites differentes et analyse les differents modes de propagation presents dans chaque structure. Le troisieme chapitre est consacre a l'etude statique des transistors a effet de champ et a contact schottky (mesfet). L'influence des effets d'autoechauffement sur les caracteristiques des transistors est analysee. Le chapitre iv concerne particulierement les performances des mesfet dans la gamme 45 mhz-18 ghz. La modelisation petit signal de ces composants a permis de mettre en evidence l'influence des effets d'autoechauffement sur les performances hyperfrequences. Dans le dernier chapitre, une etude en bruit basse frequence (< 100 khz) de diodes schottky et de mesfet est developpee.

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  • Détails : 1 vol. (166 p.)
  • Annexes : 165 ref.

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