Modélisation et caractérisation de composants passifs intègres sur silicium pour applications radiofréquences

par Jérôme Lescot

Thèse de doctorat en Sciences et techniques

Sous la direction de Fabien Ndagijimana.

Soutenue en 2000

à l'INP GRENOBLE .

    mots clés mots clés


  • Pas de résumé disponible.


  • Pas de résumé disponible.


  • Résumé

    Le travail presente dans ce memoire s'articule autour de deux axes complementaires. Le premier repose sur la mise en place d'un banc de mesure hyperfrequence sous pointes pour la caracterisation entre 45mhz et 12ghz des composants passifs integres sur silicium les plus critiques, a savoir les lignes de transmission et inductances planaires. Cette partie, qui a mis en lumiere les parasites systematiques inherents a l'analyse vectorielle, a permis de doter le laboratoire d'un banc de mesure fiable et d'un algorithme de correction d'erreur et d'extraction automatique des modeles electriques des composants etudies. La deuxieme partie est consacree au developpement d'un outil numerique pour la prevision, avant meme leur fabrication, du modele electrique et des performances des passifs integres sur silicium, a partir de la seule connaissance de leur parametres geometriques et technologiques. La methode de calcul proposee s'appuie sur la combinaison d'outils 2d, plus rapides que leur version 3d, et tres bien adaptes aux structures quasi-planaires qui nous preoccupent. Par rapport a des methodes deja existantes, notre technique quasi-3d utilise une methode spectrale robuste ne se limitant pas aux substrats faiblement dopes des technologies bicmos ou soi, mais pouvant aussi etudier les substrats fortement conducteurs des technologies cmos standards. Appliquee a des echantillons de test varies, la procedure de caracterisation a permis la validation experimentale de l'outil de modelisation sur differents types de substrats, du plus isolant comme l'arseniure de gallium au plus conducteur d'une technologie silicium cmos, en passant par les wafers faiblement dopes des technologies soi et bicmos.

Consulter en bibliothèque

La version de soutenance existe sous forme papier

Informations

  • Détails : 1 vol. (162 p.)
  • Annexes : 180 ref.

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Bibliothèque : Phelma. Bibliothèque.
  • Disponible pour le PEB
Voir dans le Sudoc, catalogue collectif des bibliothèques de l'enseignement supérieur et de la recherche.